SK Hynixが帯域幅16Gbpsの新世代グラフィックスメモリ「GDDR6」発表。「2018年のハイエンドグラフィックスカードに採用される」

　韓国時間2017年4月23日，半導体メーカーのSK Hynixは，新世代のグラフィックスメモリ「GDDR6 DRAM」（以下，GDDR6）を発表した。
　SK Hynixが「2Znm」と呼ぶ製造プロセス技術を用いて製造されるGDDR5は，メモリチップ1枚あたりの記憶容量が8Gbit（＝1GB），信号速度（≒メモリバス帯域幅）でGDDR5 SGRAMの倍となる16Gbpsに達するのが特徴だ。同社によれば，2018年前半に登場するハイエンドグラフィックスカードがGDDR6を採用する予定とのことである。

SK Hynixが公開したGDDR6メモリチップのイメージ

　GDDR6でSK Hynixは，信号の高速化だけでなく，動作電圧の低減も果たしたという。GDDR5を高速化したGDDR5Xでは，信号速度の高速化に伴う消費電力の増大が問題になっていたので（関連記事），ここに手を入れてきたのは妥当なところだと言えそうだ。
　SK Hynixの発表によると，GDDR6は，現行のGDDR5よりも動作電圧が10％低いとのことなので，1.2〜1.35V程度になっている可能性がある。

　なお，GDDR6の仕様は，メモリ技術の標準化団体であるJEDEC Solid State Technology Association（JEDEC）にて標準化作業を行っている最中とのこと。標準化が進展すれば，他のメモリチップメーカーからもGDDR6が供給されるようになるだろう。
　GDDR6を搭載する2018年のハイエンドグラフィックスカードは，どれくらいの性能を発揮するのか。今から楽しみだ。

SK Hynixによる当該プレスリリース（英語）